理财项目
 学院首页 | 学院概况 | 学术科研 | 重点实验室 | 教学工作 | 党建工作 | 团学活动 | 招生就业 | 学生管理 | 通知公示 | 校友专栏 
 学院简介   机构设置   师资队伍 
 教 授   副教授   讲 师   助 教 
 实验室首页   实验室简介 
 实验室性质   主要研究方向   仪器设备状况   对外服务项目   机构设置 
 机构简介及职能   规章制度   学术梯队   科学研究 
 主要科研方向   科研项目及进展   科研成果与奖励   学术交流   人才培养   仪器设备 
 实验教学   本科教育 
 自动化   通信工程   电气工程   电子信息工程   生物医学工程   测控技术与仪器   电工电子教学中心   研究生教育  
 电子与科学技术   控制工程   电子与通信工程 
 招生信息   就业信息 
 
相关文章
读取内容中,请等待...
站内检索  
 
当前位置: 学院首页>>学术科研>>正文
 

理财项目教师在“半导体电子器件”领域的研究取得重要进展

2017年9月,理财项目教师何红宇等人的研究成果在电子器件期刊《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》上发表。平板显示技术中,对各个像素的控制需要用到薄膜晶体管(TFT)。非晶InGaZnO-TFT是氧化物TFT的典型代表,被视为新一代显示技术的关键器件。与普通MOS晶体管不同,非晶InGaZnO-TFT的沟道材料中存在陷阱态,这些陷阱态怎样影响TFT的电流电压特性,是值得研究的问题。论文首次建立了适用于不同温度下的非晶InGaZnO-TFT的电流模型。模型建立在考虑带隙中存在双指数分布的深能态和带尾态的基础上,假设被陷阱态俘获的电子浓度远大于自由电子浓度,推导出了扩散电流和漂移电流,发现漂移电流占主导。

论文标题:“Analytical Drain Current Model for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”。论文链接:https://doi.org/10.1109/TED.2017.2721436

说明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig1a.tif说明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig1b.tif

说明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig1c.tif说明: E:\Manuscripts\IGZOTemp2017\Accepted\Submitted\FinalFilesofAcceptedPaper\Fig4.tif


图1.非晶InGaZnO-TFT在(a)指数坐标,

(b)线性坐标,和(c)1/kT坐标下的电流

电压特性。

图2.非晶InGaZnO-TFT的扩散电流(Idiff)与漂移电流(Idrift)


本研究工作是与北京大学合作完成,在此对北京大学薄膜晶体管与先进显示实验室(深圳)的鼎力支持表示感谢。该研究成果,南华大学为第一作者第一单位,何红宇为第一作者,论文提出的器件模型,一方面有利于明确半导体器件中电子的输运机理;另一方面可用于集成电路设计和仿真。

关闭窗口
湖南·衡阳·南华大学理财项目 版权所有
Copyright  http://www.usc.edu.cn All rights reserved
地址:中国 湖南 衡阳 常胜西路 邮编:421001   网站维护电话:0734-8282733